本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

先進(jìn)制程產(chǎn)能將在2026年首次突破每月百萬片晶圓。

SEMI公布了300mm晶圓廠展望報(bào)告的最新調(diào)查結(jié)果，顯示全球半導(dǎo)體制造業(yè)預(yù)計(jì)將保持強(qiáng)勁勢(shì)頭，預(yù)計(jì)從2024年底到2028年，產(chǎn)能將以7%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，達(dá)到每月1110萬片晶圓的歷史新高。

這一增長(zhǎng)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力是先進(jìn)制程產(chǎn)能（7nm及以下）的持續(xù)擴(kuò)大，預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)約69%，從2024年的85萬wpm增至2028年的歷史高點(diǎn)140萬wpm——復(fù)合年增長(zhǎng)率約為14%，是行業(yè)平均水平的兩倍。SEMI 預(yù)計(jì)先進(jìn)制程產(chǎn)能將在2026年達(dá)到重要里程碑，首次突破每月百萬片晶圓，產(chǎn)能達(dá)到116萬wpm。

SEMI表示，2nm及以下產(chǎn)能部署在整個(gè)預(yù)測(cè)期內(nèi)顯示出更為積極的擴(kuò)張，產(chǎn)能將從2025年的不到20萬wpm大幅擴(kuò)大到2028年的50萬wpm以上，這反映了先進(jìn)制造業(yè)中人工智能應(yīng)用所驅(qū)動(dòng)的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“人工智能持續(xù)成為全球半導(dǎo)體行業(yè)的變革力量，推動(dòng)先進(jìn)制造能力的大幅擴(kuò)張。人工智能應(yīng)用的快速普及正在刺激整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的強(qiáng)勁投資，凸顯了該行業(yè)在促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和滿足日益增長(zhǎng)的先進(jìn)芯片需求方面的關(guān)鍵作用?！?/p>

2025年和2027年先進(jìn)技術(shù)晶圓廠設(shè)備需求將大幅增長(zhǎng)

SEMI指出，半導(dǎo)體行業(yè)的投資格局仍然牢牢鎖定在先進(jìn)制程技術(shù)上。預(yù)計(jì)到2028年，先進(jìn)制程設(shè)備的資本支出將飆升至500億美元以上，較2024年的260億美元大幅增長(zhǎng)94%。這一增長(zhǎng)軌跡凸顯了該行業(yè)對(duì)下一代制造能力的堅(jiān)定承諾，反映了強(qiáng)勁的18%復(fù)合年增長(zhǎng)率。

向尖端節(jié)點(diǎn)的過渡持續(xù)加速，2nm技術(shù)預(yù)計(jì)將于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1.4nm技術(shù)預(yù)計(jì)將于2028年實(shí)現(xiàn)商業(yè)部署。為了應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，芯片制造商正在戰(zhàn)略性地提前擴(kuò)大產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2025年和2027年的增長(zhǎng)率分別為33%和21%。

對(duì)2nm及以下晶圓設(shè)備的投資呈現(xiàn)出尤為顯著的擴(kuò)張，資金將從2024年的190億美元增加一倍多，達(dá)到2028年的430億美元。這一驚人的120%的增長(zhǎng)凸顯了該行業(yè)對(duì)下一代制造能力的積極追求。

2025年到2027年，全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)到4000億美元

根據(jù)SEMI之前的報(bào)告，從2025年到2027年，全球300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4000億美元。強(qiáng)勁的支出是由半導(dǎo)體晶圓廠的區(qū)域化以及數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備對(duì)人工智能（AI）芯片日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)的。

2025年至2027年間，芯片制造商的設(shè)備支出預(yù)計(jì)將達(dá)到約2300億美元。這主要得益于對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的投資以及對(duì)成熟節(jié)點(diǎn)的持續(xù)支出。其中，在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面，2nm工藝和2nm關(guān)鍵技術(shù)的開發(fā)格外重要，如全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管結(jié)構(gòu)和背面功率傳輸技術(shù)。而在成熟節(jié)點(diǎn)方面，22nm和28nm工藝有望實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，主要是受益于不斷增加的汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需求。

排在第二位的是邏輯芯片和微處理器領(lǐng)域，預(yù)計(jì)未來三年率先擴(kuò)大設(shè)備支出，總投資為1730億美元。其中，Memory預(yù)計(jì)同期將貢獻(xiàn)超過1200億美元的支出，而在Memory領(lǐng)域，DRAM相關(guān)設(shè)備的投資預(yù)計(jì)將超過750億美元，而3D NAND的投資預(yù)計(jì)達(dá)到450億美元。

排在第三位的是功率半導(dǎo)體，預(yù)計(jì)未來三年投資將超過300億美元，其中化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目投資約140億美元。同期，模擬和混合信號(hào)領(lǐng)域預(yù)計(jì)將達(dá)到230億美元，其次是光電/傳感器，為128億美元。

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