本文由半導體產業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

TrendForce集邦咨詢下修2026年全球智能手機及筆記本電腦的生產出貨預測。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢調查顯示，2026年全球市場仍面臨不確定性，通脹持續(xù)干擾消費市場表現(xiàn)，更關鍵的是，存儲器步入強勁上行周期，導致整機成本上揚，并將迫使終端定價上調，進而沖擊消費市場?；诖耍琓rendForce集邦咨詢下修2026年全球智能手機及筆記本電腦的生產出貨預測，從原先的年增0.1%及1.7%，分別調降至年減2%及2.4%。此外，若存儲器供需失衡加劇，或終端售價上調幅度超出預期，生產出貨預測仍有進一步下修風險。

DRAM漲勢強勁，低端智能手機首當其沖

從個別產品來看，2025年智能手機存儲器價格上揚主要由DRAM帶動。2025年第四季 DRAM合約價格對比去年同期上揚逾75%，以存儲器占整機BOM cost約10~15%估算，2025年該成本已被墊高8~10%。

隨著DRAM及NAND Flash合約價格仍持續(xù)攀升，預估明年整機BOM cost將在今年的基礎上再提升約5~7%，甚至可能更高。對于原本就利潤偏薄的低端機種而言，品牌端勢必調降該產品占比，同時針對全系列產品分層上調終端售價以維系正常營運。

行業(yè)供應鏈消息顯示，上游存儲芯片價格的“瘋漲”讓國內主流手機廠商集體陷入采購決策的兩難境地。 小米 、 OPPO 、 vivo 等頭部品牌當前庫存普遍低于兩個月，部分廠商的 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器） 庫存更是緊張至三周以內。 面對美光 、 三星 、 SK海力士三大原廠接近50%的漲幅報價，廠商們紛紛選擇暫緩本季度采購計劃，在成本與庫存之間尋求平衡。

這場漲價潮不僅影響了手機廠商，也波及了整個產業(yè)鏈，從上游的模組廠商到下游的終端市場，都感受到了壓力。

2026年筆記本電腦市場恐迎來成本與需求雙重壓力

2026年筆記本電腦市場同樣將面臨明顯壓力，以今年存儲器上漲前的成本結構為基準觀察，DRAM及NAND Flash合計占筆記本電腦整機BOM cost的比重約10~18%，在如此大幅且連續(xù)數(shù)季的上漲下，預估存儲器占整機BOM cost的比重將進一步擴大至20%以上。

若品牌選擇將成本轉嫁，預估2026年筆記本電腦終端售價將普遍上調5~15%，對需求形成實質壓力。

面對嚴峻的形勢，PC廠商紛紛采取應對措施。華碩聯(lián)席CEO胡書賓在2025年第三季度法人說明會上表示，公司已提前預判到內存供應趨緊的信號，并主動延長庫存周期。截至第三季度末，華碩關鍵零部件庫存可支撐約兩個月生產，渠道端成品庫存也接近兩個月，整體形成約四個月的安全庫存緩沖。盡管如此，胡書賓也坦言，若內存供需失衡狀況未能緩解，公司將在合理范圍內對產品價格進行調整。代工領域，佳世達集團董事長陳其宏也表達了對當前局勢的擔憂，他指出，近期DDR4與DDR5內存采購成本急劇上升，其中DDR4市場正遭遇嚴重缺貨，形勢尤為嚴峻。他形容當前市場為“有貨就拿”，否則生產將難以為繼。此前積累的庫存已基本消耗完畢，缺貨狀態(tài)預計將持續(xù)至2026年底，短期內難以緩解。

至于可視為PC外圍延伸的顯示器，其所搭載的存儲器多為小容量存儲器，受直接漲價沖擊影響有限。其隱憂來自間接影響，若PC零售價格大幅調漲導致整體出貨下修，將連帶沖擊顯示器出貨表現(xiàn)，因此顯示器年度出貨將從微增0.1%轉為年減0.4%。

此次內存短缺對DDR4和DDR5市場的影響有所不同。DDR4市場受到的沖擊尤為嚴重，缺貨情況更為嚴峻。這主要是因為DDR4內存主要應用于老款電腦和入門級市場，其價格敏感度較高，漲價將直接影響消費者的購買意愿。而DDR5內存雖然性能更強，但價格也相對較高，且市場滲透率仍處于較低水平。然而，隨著Intel和AMD新一代平臺對DDR5內存的普及，DDR5內存的需求也將持續(xù)增長，屆時其價格也將面臨上漲壓力。

市場分析指出，這波漲價潮主要源于DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）供應的緊張。一方面，AI（人工智能）領域的蓬勃發(fā)展對內存的需求激增，導致了服務器級內存和HBM（高帶寬內存）的產能被大量占用。另一方面，DDR4和DDR5內存的生產也受到原材料、制程等方面的影響，導致供應量難以滿足市場需求。

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