量子級聯(lián)激光器（QCL）是一種在中長紅外和太赫茲范圍工作的半導體激光器。在QCL中，電子負責發(fā)射光子進入隨后的量子阱中，由此一個電子可以產(chǎn)生幾個光子，效率非常高。從一個量子阱到另一個量子阱的過渡稱為“量子級聯(lián)”。圖片來源：網(wǎng)絡（www.azooptics.com）

科技日報柏林9月1日電 近日，一個來自德國、意大利和英國的研究團隊成功開發(fā)出一種關鍵的光子組件，實現(xiàn)了半導體量子阱的子帶間躍遷與金屬腔的光子模式超強耦合，有望用可飽和吸收體（SA）來制造廉價的、可引發(fā)短太赫茲脈沖的量子級聯(lián)激光器（QCL）。這將成為太赫茲應用道路上的一個重要里程碑。相關成果發(fā)表在最近的《自然·通訊》上。

太赫茲波是指頻率介于微波與紅外之間的電磁波，由于其性質(zhì)特殊，具有廣泛的應用潛力。如機場安全掃描儀、痕量氣體檢測、超高速通信技術和醫(yī)療技術等。但目前商用的太赫茲源還只能以連續(xù)波模式運行。因此研發(fā)廉價的、能產(chǎn)生很少甚至單周期脈沖的緊湊型量子級聯(lián)激光器，替代結(jié)構(gòu)復雜且昂貴的臺式激光源，將加速帶來太赫茲領域各種激動人心的應用。

量子級聯(lián)激光器的發(fā)射過程基于半導體多量子阱（MQW）結(jié)構(gòu)中的子帶間（ISB）躍遷。采用飽和吸收器的被動鎖模是激光器產(chǎn)生超短脈沖的一種方法。該模式需要響應時間短且飽和閾值低的可飽和吸收體，但用于太赫茲光譜范圍的可飽和吸收體一直難以實現(xiàn)，而且所需的光強度遠遠超過量子級聯(lián)激光器的能力。

現(xiàn)在，研究團隊成功開發(fā)出一種由金鏡和金柵格組成的微結(jié)構(gòu)裝置，它們共同構(gòu)成了太赫茲輻射的共振體。它的共振可以與特殊半導體納米結(jié)構(gòu)中的電子緊密耦合。通過高精度慢動作相機觀察發(fā)現(xiàn)，新結(jié)構(gòu)很好地響應強太赫茲脈沖的刺激，在飛秒的時間尺度上吸收器就達到飽和。強烈的光脈沖可以將可飽和吸收體（金柵格）轉(zhuǎn)換成幾乎完美的鏡面。所需光強度比單獨的純半導體結(jié)構(gòu)低十倍，且反應比太赫茲脈沖的單個光振蕩更快。

意大利國家納米科技中心的米瑞安·維迪耶羅教授說：“我們現(xiàn)在掌握了使用飽和吸收體制造超快量子級聯(lián)激光器的所有必要組件。”太赫茲在很多領域的重要應用將有望變?yōu)楝F(xiàn)實，包括電信、化學分析和醫(yī)學診斷等。由于太赫茲輻射的振蕩速率比現(xiàn)代計算機的時鐘速率快上千倍，超短太赫茲脈沖可以實現(xiàn)新一代的電信連接，被認為是最有潛力的6G技術之一。

（原標題 太赫茲光子學組件研究獲重大突破 有助造出廉價緊湊型量子級聯(lián)激光器 實現(xiàn)6G電信連接）